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產品詳情
簡單介紹：
STP-XA2703C VG250 愛德華真空磁懸浮渦輪分子泵為高真空到 2300 sccm 制程流的制程范圍內提供高性能，并提高氣體的吞吐量。
STP-XA2703C VG250 愛德華真空磁懸浮渦輪分子泵此泵基于新的平臺設計，提供功能以改善熱管理，從而增強在嚴苛制程中的性能，提高大制程流能力，并減少腐蝕和沉積的影響。
詳情介紹：
概述
STP-XA2703C 渦輪泵為高真空到 2300 sccm 制程流的制程范圍內提供高性能，并提高氣體的吞吐量。
此泵基于新的平臺設計，提供功能以改善熱管理，從而增強在嚴苛制程中的性能，提高大制程流能力，并減少腐蝕和沉積的影響。
其出色的性能既適用于溫和的應用環(huán)境，也適用于嚴苛的環(huán)境，例如半導體刻蝕、注入、光刻和 LCD 制程。
應用
金屬（鋁）、鎢和電介質（氧化物）以及多晶硅等離子刻蝕（氯化物、氟化物和溴化物）
電子回旋共振 (ECR) 刻蝕
薄膜沉積 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
濺射
離子注入源，射束線泵送端點站
MBE
擴散
光致抗蝕劑脫模
晶體/晶膜生長
晶片檢查
負載鎖真空腔
科學儀器：表面分析、質譜分析、電子顯微鏡
高能物理：射束線、加速器
STP-XA2703C 渦輪泵為高真空到 2300 sccm 制程流的制程范圍內提供高性能，并提高氣體的吞吐量。
此泵基于新的平臺設計，提供功能以改善熱管理，從而增強在嚴苛制程中的性能，提高大制程流能力，并減少腐蝕和沉積的影響。
其出色的性能既適用于溫和的應用環(huán)境，也適用于嚴苛的環(huán)境，例如半導體刻蝕、注入、光刻和 LCD 制程。
應用
金屬（鋁）、鎢和電介質（氧化物）以及多晶硅等離子刻蝕（氯化物、氟化物和溴化物）
電子回旋共振 (ECR) 刻蝕
薄膜沉積 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
濺射
離子注入源，射束線泵送端點站
MBE
擴散
光致抗蝕劑脫模
晶體/晶膜生長
晶片檢查
負載鎖真空腔
科學儀器：表面分析、質譜分析、電子顯微鏡
高能物理：射束線、加速器
放射線應用：融合系統(tǒng)、回旋
功能和優(yōu)勢
的轉子設計
增強的 H2、N2 和 Ar 性能
改進了在高真空到 2300 sccm 制程壓力范圍內的性能
免維護
5 軸磁懸浮系統(tǒng)
無污染
低振動
性轉矩管理
獲得的轉矩減少機械裝置
優(yōu)化的溫度管理系統(tǒng)
高溫 TMS 能力
低沉積
內置冷卻機械裝置
更高的氣體吞吐量（加熱和未加熱）
延長壽命
可用于嚴苛制程
符合 SEMI®，具有 CE 標記，列于 UL 中
數據
| 入口法蘭 | VG250 |
| 抽速 |
|
| N2 | 2650 ls-1 |
| H2 | 2050 ls-1 |
| 壓縮比 |
|
| N2 | >108 |
| H2 | >6 x 103 |
| 極限壓力 | 10-7 Pa |
| 大允許前級壓力 | 266 Pa |
| 大允許氣體流量 |
|
| N2（水冷卻） | 2300 sccm |
|
|
(3.8 Pam3s-1) |
| Ar（水冷卻） | 1900 sccm |
|
|
(3.2 Pam3s-1) |
| 額定速度 | 27500 rpm |
| 啟動時間 | 8 min |
| 固定位置 | 任何方向 |
| 水冷卻流量 | 3 lmin-1 |
| 水冷卻溫度 | 5-25 °C (41-77 °F) |
| 壓力 | 0.3 MPa |
| 的吹掃氣體流量 | 50 sccm (8.4 x 10-2 Pam3s-1) |
| 輸入電壓 | 200 至 240 V 交流(± 10) |
| 功耗 | 1.5 kVA |
| 泵重量 | 75 kg (165 lb) |
| 控制器重量 | 12 kg (26.4 lb) |
